Exemples de résultats

 

Nitruration d'aciers inoxydables

Mélange gazeux H2/N2
Polarisation –15V
Température 450°C
Vitesse de nitruration 2µm/h
 

Dépôt de SiO2 par PACVD

Mélange gazeux SiH4/O2/Ar
Puissance micro-ondes 1000W

Résultats obtenus

• Vitesse de dépôt: 130 nanomètres/min. Cette vitesse dépend beaucoup de la capacité de la pompe turbo moléculaire. Avec une pompe de 1000 litres par seconde la vitesse serait supérieure à 780 nanomètres/min.
• Uniformité: 2% en statique.

 

Dépôt de Si3N4 par PACVD

Mélange gazeux SiH4/N4/Ar
Puissance micro-ondes 1000W

Résultats obtenus

• Vitesse de dépôt: 45 nanomètres/min (encore une fois, cette vitesse serait supérieure avec une pompe turbo moléculaire plus efficace)
• Uniformité: 3 % en statique

 

Les techniques de Boreal Plasmas permettent une parfaite maîtrise des procédés,

maîtrise nécessaire pour obtenir des filtres intégrodifférentiels aux propriétés voulues.

Gravure d'une résine polymère

Conditions de gravure

Gaz O2
Puissance micro-ondes 900W

Résultats obtenus

• Vitesse de gravure: 300 nanomètres/min. Avec une pompe de 1000 litres par seconde la vitesse serait nettement supérieure.

Dépôt d'aluminium par pulvérisation magnétron

Ce dépôt est réalisé par pulvérisation magnétron.



En pulvérisation magnétron "classique", la vitesse de dépôt obtenue est de l'ordre de 660 nanomètres/min.


En pulvérisation magnétron assistée par micro-ondes, la vitesse de dépôt passe à 745 nanomètres/min, soit une augmentation de plus de 12%.



Ces résultats ont été obtenus pour une configuration donnée (distance cible-substrat, pression…), mais le gain en vitesse a été observé pour toutes les configurations testées.

Dépôt de Si3N4 par pulvérisation magnétron

En pulvérisation magnétron réactive classique, c'est-à-dire avec une alimentation radio fréquence, les vitesses de dépôt, pour une configuration donnée, sont de 21 nm/min. 



L'application de sources micro-ondes permet d'utiliser une alimentation continue sans apparition d'arcs dus à la présence d'isolant sur la cible de silicium.

Par conséquent, la vitesse de dépôt passe à 170 nanomètres/min, soit un gain d'un facteur 8.

Dépôt de tantale par PVD

Les dépôts de Ta sont couramment réalisés par la technique magnétron.

Cependant, cette technique occasionne une usure non uniforme de la cible,
qui n'est bien souvent utilisée qu'à 50% environ.

Une autre méthode de dépôt par pulvérisation connue est la technique diode.

Les principaux inconvénients de celle-ci sont les pressions de travail nettement plus élevées,
et des vitesses de dépôt extrêmement faibles.



L'utilisation de sources de plasma complémentaires permet une usure uniforme de la cible,
et donc de diminuer les coûts de consommable, ceci en amorçant le plasma aux pressions habituelles.
Les vitesses de dépôt ne subissent alors qu'une légère chute, de l'ordre de 10%